在芯片制造方面,由于華爲和(hé)中芯國際被列入美(měi)國政府的實體清單(分别是中國最先進的芯片設計(jì)和(hé)代工(gōng)),中國半導體産業受到(dào)了(le)不小(xiǎo)的影響。由于這(zhè)一變化,從(cóng) 2020 年 9 月到(dào) 2021 年 11 月,中國晶圓制造商在成熟節點(>=14nm)上(shàng)增加了(le)近 50 萬片/月的晶圓(WPM)産能(néng),而在先進節點上(shàng)僅增加了(le) 1 萬片産能(néng)。僅中國的晶圓産能(néng)增長就占全球總量的 26% 。2021 年,中國也(yě)開(kāi)始了(le)國産移動 19nm DDR4 DRAM 設備和(hé) 64 層 3D NAND 閃存芯片的商業出貨,并開(kāi)始了(le) 128 層産品嘗試。雖然中國存儲器行業仍處于發展初期,但(dàn)預計(jì)中國存儲器企業在未來(lái)五年内将實現(xiàn) 40-50% 的年複合增長率并具有很(hěn)強的競争力。在後端生産方面,中國是外(wài)包組裝、封裝和(hé)測試 (OSAT) 的全球領導者,其前三大(dà) OSAT 參與者合計(jì)占據全球市場份額的 35% 以上(shàng)。種種迹象表明(míng),中國半導體芯片銷售的快(kuài)速增長很(hěn)可能(néng)會(huì)持續,這(zhè)在很(hěn)大(dà)程度上(shàng)歸功于政府的堅定承諾以及面對(duì)不斷惡化的美(měi)中關系的強有力的政策支持。盡管中國要趕上(shàng)現(xiàn)有的行業領導者還有很(hěn)長的路要走——尤其是在先進節點代工(gōng)生産、設備和(hé)材料方面——但(dàn)随着北京加強對(duì)半導體自(zì)力更生的關注,預計(jì)未來(lái)十年差距将進一步縮小(xiǎo)。